文 | 硅基象限，，，作者 | 张思

放眼全球，，，市值突破万亿美元的企业仅十余家，，，而做存储的就有三家。。。

在从前12个月，，，SK海力士和美光股价超9倍速狂奔，，，三星电子暴增超5倍，，，三家存储巨头，，，大跨步进入“万亿美元市值俱乐部”。。。

具体来看，，，去年6月27日，，，美光股价约为124.7美元/股，，，而今年6月28日已达1132美元，，，市值超1.2万亿美元；SK海力士去年6月29日股价约为180美元，，，今年6月26日约1700美元，，，总市值约 1.38万亿美元；三星电子去年6月29日其股价约40美元，，，而今年6月27日约209美元，，，市值约1.4万亿美元。。。

这背后的主题原因是，，，三星电子、、SK海力士、、美光险些包揽了90%以上算力服务器中的存储市场。。。

陪伴着三巨头的狂飙，，，其地点的存储行业也被贴上三个标签，，，涨价、、垄断与扩产。。。

三个月狂揽800亿美元

存储涨价的苗头，，，从2025年上半年起头。。。

去年4月，，，闪迪一封涨价函，，，奉告客户产品整体涨幅超过10%，，，掀开了存储芯片欠缺、、涨价的大幕。。。

随后，，，三星电子、、海力士、、美光等大厂也起头颁发涨价，，，甚至在2025年下半年涨幅一度超70%，，，且供不应求。。。

这带来了2025年，，，三家头部存储公司，，，营收和利润的增长。。。

在2025年财年，，，三星电子半导体（DS）业务营收约为308亿美元，，，交易利润约114亿美元；海力士营收约681亿美元，，，净利润约300亿美元；美光营收为373.78亿美元，，，净利润为85.39亿美元。。。

在2025年，，，海力士的利润率为48.5%，，，三星的毛利率为39.4%，，，美光的毛利率为39.8%。。。

2026年开年，，，三家半导体巨头营收险些翻倍，，，利润也迎来约4倍增长，，，且陪伴着净利率/毛利率的翻倍。。。

2026年一季度（1-3月），，，三星半导体业务（DS）的交易收入为530亿美元，，，增长225%，，，交易利润达350亿美元，，，同比增长480%，，，海力士交易收入约330亿美元，，，同比暴涨198%，，，交易利润约240亿美元，，，同比增长 405.5%。。。

从美光最新颁布的2026财年第三季度（3-5月）数据来看，，，增长还在持续，，，期间营收414.6 亿美元，，，同比增长345.7%，，，净利润288.6 亿美元，，，同比暴涨1398.3%。。。

三巨头三个月赚了800亿美元，，，超过2025年整年。。。

营收和利润高速增长背后，，，是净利率/毛利率的翻倍。。。在2026年一季度，，，三星交易利润率是66%;海力士为72.7%,而美光在2026财年三季度毛利率也达到了84.9%。。。

在2026年5月下旬，，，三家存储公司的市值，，，相继突破万亿美元。。。

全球市值超万亿的公司仅16家，，，科技公司有13家，，，除了三家存储巨头外，，，还有市值超过四万亿美元的英伟达，，，谷歌母公司 Alphabet 、、苹果 Apple，，，超过2亿的微软 Microsoft、、亚马逊 Amazon、、台积电TSMC、、SpaceX，，，以及超过万亿美元的博通 Broadcom、、特斯拉 Tesla、、Meta Platforms。。。

三星和SK海力士，，，也成为唯二，，，进入万亿美元市值俱乐部的韩国企业。。。

助力他们狂奔的关键技术有两个：：：DRAM与NAND Flash。。。

“吸金王“：：：DRAM与NAND Flash

存储器分为两大类，，，一类是易失性存储，，，存储速度快，，，但是一断电数据就清空；另一类长短易失性存储，，，断电后数据依然存在。。。

DRAM与NAND Flash，，，一个是易失性存储器，，，另一个则长短易失性存储器。。。

DRAM蕴含HBM（高带宽内存）、、DDR5/6、、LPDDR5/5X/6、、GDDR6/GDDR7等技术路线。。。其中，，，DDR5/6是台式机、、服务器内的存储技术，，，LPDDR6/5/5X用在智能手机、、平板及车载系统，，，GDDR6/GDDR7面向图形处置器（GPU）的高速显存。。。

HBM（高带宽内存）是用于算力服务器的存储，，，也是技术壁垒最高的DRAM。。。HBM选取2.5D仓库技术，，，必要将8 层、、12 层甚至16 层 DRAM 芯片，，，通过TSV（硅通孔）技术，，，垂直堆叠在一路，，，目前最新技术为HBM3e / HBM4，，，单颗存储容量已超36GB。。。

诸如，，，三星电子、、美光目前HBM3E和HBM4均选取12层堆叠，，，最高能够实现36GB容量，，，且正在研发16 层堆叠，，，容量达48GB的HBM4。。。

NAND Flash，，，也叫闪存，，，蕴含手机内置存储、、U 盘、、服务器的固态硬盘 SSD。。。在AI算力场景下，，，存储已经演进到PCIE 6.0 SSD。。。

NAND Flash依附3D 仓库技术，，，将200层甚至300-400层的芯片，，，堆叠到一个芯片上，，，仓库层数越多，，，技术难度越高。。。好比海力士起头选取321层固态硬盘（cSSD），，，并打算在今年底起头量产375层3D NAND Flash，，，三星打算 2029年将实现420层 SSD。。。

凭据CFM闪存市场统计数据，，，25Q4全球DRAM市场的前三名别离为三星电子、、SK海力士、、美光，，，别离占据37.1%、、33.1%和20.8%。。。而在NAND Flash 市场，，，前五名别离是三星、、SK海力士、、铠侠、、闪迪和美光，，，占27%、、22.1%、、15%、、12.8%、、11.6%。。。

三家巨头正惹上“垄断官司”。。。外媒披露，，，6月29日，，，三星电子、、SK海力士和美光科技遭逢美国联邦反垄断的集体诉讼，，，称其合谋限度传统DRAM供给、、抬高价值，，，加剧内存欠缺。。。

存储三巨头能站上如今的地位，，，其实已经走了50年。。。

内卷、、洗牌的五十年

DRAM比NAND Flash早诞生20年，，，但发现这两种芯片的公司，，，目前都已烧毁存储业务。。。

1970年，，，英特尔推出世界上首款DRAM存储芯片（Intel 1103），，，容量仅1KB，，，并一度拿下存储芯片的80%以上市场。。。

在八年后，，，帕金森兄弟（沃德·帕金森与乔·帕金森）在美国爱达荷州，，，一个牙科诊所的地下车库缔造了美光，，，并在1979年颁布64Kb容量DRAM。。。

1980年，，，美光缔造的两年后，，，行业起头“内卷“。。。其时，，，日本厂商东芝、、日立、、富士通等公司起头进军存储市场，，，并以极高的良品率和更廉价值，，，抢占80%以上市场份额。。。

那时，，，英特尔因作难以匹敌日本公司，，，烧毁 DRAM业务，，，转型做微处置器（CPU）。。。

在三年后，，，韩国两大巨头才成立。。。1983年，，，韩国商人郑周永成立现代电子产业株式会社，，，这也是SK海力士的前身，，，同年，，，三星首创人李秉喆颁发正式进军DRAM市场，，，并颁布了能用于小我电脑的64Kb 容量的DRAM，，，比美光晚4年，，，比海力士早两年。。。

1989年，，，东芝推出首款 NAND Flash 产品，，，NAND Flash进入存储舞台中央。。。1992年底，，，三星从东芝获得 NAND Flash 设计授权，，，并推出首款 NAND Flash 器件。。。

之后十年，，，存储行业起头重新洗牌。。。这一年，，，韩国现代电子并购LG半导体，，，并在一年后将现代电子彻底剥离，，，改名为海力士半导体。。。

同年，，，日本存储企业也起头并购重组。。。NEC与日立剥离各自的内存业务，，，结合成立NEC日立存储器，，，一年后正式改名为尔必达。。。

2000年代初期，，，海力士正式起头研发NAND Flash，，，2002年，，，三星在全球闪存市场份额排名第一。。。

2003年，，，日本又一家公司，，，三菱电机的DRAM 制作部门，，，也被并入尔必达。。。在之后几年，，，尔必达进入发展的黄金期，，，成功在东京证券买卖所上市，，，并姨杖获得20%市场份额。。。

但在2012年之后，，，日本企业慢慢退出存储赛道。。。一方面，，，尔必达由于难敌韩国企业的竞争，，，加上日本经济限度，，，颁发破产，，，并由美光收购。。。另一方面，，，在2016财年，，，东芝净吃亏高达9657亿日元，，，不得已将存储部门剥离并销售，，，在2019年正式改名为铠侠。。。

当前，，，DRAM和NAND Flash是三星和海力士的绝对统治区。。。但他们侧重点略有分歧，，，三星的优势在于智能手机、、电脑中的DDR5/6，，，LPDDR5等消费级市场，，，而海力士由于更早绑定英伟达，，，而在HBM市场更具优势。。。

算力竞争的下半场依然火拼产能。。。6月29日，，，SK海力士颁发将单独向韩国西南地域（湖南／光州）半导体集群投入400万亿韩元，，，用于建设多座存储晶圆厂及HBM先进产线；三星电子正式颁布将来 10 年总额约 1000 万亿韩元的投资；美光也在纽约州和爱达荷州规划了重大的全新晶圆厂建设。。。

存储行业是个周期性行业，，，产能不及市价值增长迅猛，，，但是需要降落时，，，价值也将迅速下滑，，，这也意味着存储行业将没有“始终的牛市”。。。

从初见到再见 这帧画面里藏着整个青春