当传统DRAM的利润率起头碾压AI明星产品HBM，，存储芯片巨头的本钱支出逻辑正在悄然转向
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据追风买卖台，，美银美林4月24日颁布的全球存储技术周报显示，，一季度财报季后，，重要存储芯片制作商扩产HBM的周到显著降温，，部门正本划拨给HBM的本钱开支预算已被转移至传统DRAM甚至NAND
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与此同时，，芯片厂商对签署持久和谈（LTA）的兴致也在减退——在合同价值持续每季上涨的布景下，，锁定持久价值意味着烧毁潜在的更高收益，，预计下半年业绩增长将更多依赖传统存储产品，，而非HBM4
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这一转变对市场的直接影响在于：：：存储行业的投资逻辑正从"AI溢价"向"传统供给欠缺"切换
。。。DRAM合同价值在2026年二季度已创汗青新高，，16Gb DDR5合同价值预计环比再涨逾20%；；NAND合同价值同样处于汗青高位，，预计二季度将升至约30美元
。。。传统存储的超强盈利能力，，正在重塑芯片巨头的产能分配决策
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HBM扩产周到降温：：：三大原因驱动本钱支出转向

美银美林的最新分析指出，，存储芯片制作商对HBM扩产态度趋于守旧，，背后有三重逻辑
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其一，，传统DRAM（以LPDDR5为主）的盈利能力已显著优于HBM
。。。在当前价值系统下，，传统DRAM的利润率对芯片厂商更具吸引力，，本钱效能更高
。。。其二，，HBM4的订单增速略有放缓，，需要端的边际动能有所减弱
。。。其三，，基于NAND的KV缓存内存在AI推理场景中的利用正急剧增长，，部门代替了对HBM的需要
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上述成分叠加，，导致部门正本用于HBM扩产的本钱开支预算被重新分配至传统DRAM和NAND产能
。。。这一趋向将使下半年业绩增长的驱动力从HBM4转向传统存储产品
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长协意愿降落：：：涨价周期中锁价得不偿失

除扩产战术调整外，，芯片厂商对持久和谈（LTA）的态度也出现显著转变
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随着越来越多的客户愿意按季度支付更高的DRAM和NAND合同价值，，芯片厂商签署LTA的动力正在减弱
。。。厂商的顾虑重要集中在两点：：：一是若存储芯片供给欠缺一连至2027至2028年，，LTA将限度价值和利润的上行空间；；二是若市场出现下行周期，，持久合同存在被违约的风险
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汇报预计，，2026年下半年至2027年上半年的传统存储销售，，仍将以按季度价值交涉为主，，新签LTA持久合同的增量将较为有限
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价值走势：：：传统DRAM创25年新高，，DDR4现分化

当前存储芯片价值处于汗青罕见高位，，但内部结构出现分化
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据DRAMeXchange数据，，16Gb DDR5现货价约为38.5美元，，16Gb DDR4现货价约为63.9美元，，均处于从前25年来的最高水平
。。：：：贤鄯矫，，DRAM合同价在2026年4月创汗青新高，，达35至40美元区间；；16Gb DDR5合同价预计4月环比涨幅超过20%，，此前4季度和1季度别离已上涨约200%和80%
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不外，，DDR4现货价值本周出现显著回调，，16Gb DDR4周跌幅达5至8%，，原因在于其现货价较DDR5逾越50%以上，，需要端已出现代替效应
。。。相比之下，，DDR5现货价值维持不变
。。。DDR5跑赢DDR4的趋向可能一连至6月
。。：：：4月前20天半导体出口同比增长182%，，重要由DDR5、、HBM和NAND拉动，，DDR4占总存储出货量的比例已不及1%
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2028年产能扩张预期下调：：：供给约束支持持久看涨逻辑

市场此前忧郁韩国及美国新建晶圆厂将在2028年带来大规模DRAM产能冲击，，但现实扩产规？？赡茉兜陀谠て
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汇报指出，，大无数芯片厂商预计每座新建晶圆厂在2028年的产能增量最多仅为每月5至6万片晶圆
。。。只管新厂干净室空间理论上可支持每年10万片的产能，，但在1d制程节点等高执行风险下，，厂商偏差于以更为审慎的节拍投入前端晶圆制作设备
。。。这意味着全球DRAM行业整体晶圆产能增速仅为个位数百分比
。。。芯片厂商对持久供给欠缺的乐观判断，，正是基于这一产能扩张约束
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值妥贴心的是，，TCB（热压键合）设备需要预计将在2028年显著放量，，重要用于16层及20层HBM4e的封装，，以配套英伟达Rubin Ultra及更先进的AI ASIC芯片
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此外，，美银在本期汇报中同步上调了对韩国基板和MLCC（多层陶瓷电容）板块的乐观水平
。。。与DRAM类似，，若传统IT用处的MLCC和基板产能被转用于AI服务器，，由于尺寸更大、、制作周期更长、、规格要求更高，，其出产量将大幅降落，，从而形成供给收紧
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